Band to band absorption coefficients in heavily doped Si and SiGe

材料科学 兴奋剂 带隙 光电子学 电子能带结构 半金属 直接和间接带隙 吸收(声学) X波段
作者
Nathan,Jain,Briglio,McGregor,Roulston
出处
期刊:European Solid-State Device Research Conference 卷期号:: 421-424
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