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光探测
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物理
作者
Shengmei Gao,Xiaolu Xia,Tao Luo,Ran An,F. Han,Hongkun Duan,Jiawen Wu,Yu Cao,Haowen Shu,Jianhua Jiang,Ying Wang,Zhiyong Zhang
标识
DOI：10.1002/adma.202517878
摘要
at 1300 nm and rise/fall times of 132/148 µs. Through their compatibility with silicon-based readout circuits, submicron-pixel CNT HGFET arrays offer scalable and cost-effective platforms for next-generation high-resolution SWIR imaging systems.
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