SiC power MOSFET overload detection, short-circuit protection and gate-oxide integrity monitoring using a switched resistors dual-channel gate-driver

电阻器 栅氧化层 门驱动器 电气工程 MOSFET 电子工程 CMOS芯片 逻辑门 功率(物理) 断层(地质) 工程类 电压 材料科学 晶体管 地质学 物理 地震学 量子力学
作者
Mathis Picot-Digoix,Frédéric Richardeau,Wadia Jouha,Jean‐Marc Blaquière,S. Vinnac,Stéphane Azzopardi,Thanh-Long Le
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:150: 115082-115082 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2023.115082
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