Detailed comparison of threshold voltage extraction methods in FD-SOI MOSFETs

绝缘体上的硅 阈值电压 MOSFET 萃取(化学) 材料科学 电子工程 栅极电压 光电子学 电压 电气工程 计算机科学 工程类 晶体管 化学 色谱法
作者
G. Pananakakis,G. Ghibaudo,S. Cristoloveanu
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:209: 108764-108764 被引量:8
标识
DOI:10.1016/j.sse.2023.108764

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