Super Split-Gate LDMOS With Optimized R SP and 79.5% Q GD Decrease on 55-nm BCD Platform for High-Frequency xPU Power Supply

LDMOS 光电子学 电气工程 功率(物理) 材料科学 物理 工程类 晶体管 电压 量子力学
作者
Dingxiang Ma,Ming Qiao,Yulong Liao,Yixun Jiang,Jiawei Wang,Zhaoji Li,Bo Zhang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-8
标识
DOI:10.1109/ted.2025.3580008
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