Stacking the MoS2/GeSe2 vertical van der Waals heterostructure for memory device

范德瓦尔斯力 异质结 堆积 二硫化钼 材料科学 光电子学 纳米技术 化学 复合材料 分子 有机化学
作者
Jiadong Yao,Yali Liu,Wenxuan Guo,Xinyue Niu,Mengge Li,Xiaoxiang Wu,Ying Yu,Xiaoyuan Yan,Boran Xing,Shucheng Zhang,Jian Sha,Yewu Wang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:117 (15) 被引量:10
标识
DOI:10.1063/5.0021579
摘要

Recently, two-dimensional materials have shown great potential in the application of memories due to their atomic thickness and excellent electrical properties. Furthermore, van der Waals heterostructures consisting a variety of two-dimensional materials provide more possibilities for memory research. Here, we design a simple memory device based on the molybdenum disulfide/germanium diselenide (MoS2/GeSe2) van der Waals heterostructure, which exhibits a large memory window of about 10 V in the gate range of ±10 V. Its ratio of program/erase current reaches over 102 and remains after more than 2 × 103 s and 103 cycles, showing good stability and reliability. Compared to conventional floating gate memory, the device based on this structure provides promising advantages in the reduction of the device size and simplification of manufacturing.
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