Degradation Under Low Drain Bias Induced by Heavy Ion in SiC MOSFETs

降级(电信) 材料科学 MOSFET 重离子 离子 光电子学 碳化硅 电气工程 电压 晶体管 物理 工程类 量子力学 冶金
作者
Leshan Qiu,Yun Bai,Zewei Dong,Jieqin Ding,Jilong Hao,Yidan Tang,Xiaoli Tian,Chengzhan Li,Xinyu Liu
出处
期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (11): 2377-2385 被引量:4
标识
DOI:10.1109/tns.2024.3481367
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