Bipolar resistive switching with improved memory window in W/ZnFe2O4/Pt devices

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作者
Senthilkumar Rajarathinam,Neeraj Panwar,Pankaj Kumbhare,Udayan Ganguly,N. Venkataramani
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:142: 106497-106497 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2022.106497
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