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作者
Yiyin Zhou,Wei Du,Wei Dou,Thach Pham,Aboozar Mosleh,Seyed Amir Ghetmiri,Sattar Al-Kabi,Joe Margetis,John Tolle,Greg Sun,Richard A. Soref,Baohua Li,Mansour Mortazavi,Hameed A. Naseem,Shui-Qing Yu
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics
日期：2016-01-01
标识
DOI：10.1364/cleo_at.2016.jw2a.127
摘要
Characterizations of Ge/Ge 0.9 Sn 0.1 /Ge double heterostructure light-emitting diodes have been performed at the temperatures from 300 to 77K. The electroluminescence emission from the direct bandgap transition has been observed and systematically investigated.
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