Numerical investigation on the effect of growth conditions on silicon carbide growth in chemical vapor deposition

碳化硅 化学气相沉积 材料科学 等离子体增强化学气相沉积 沉积(地质) 化学工程 化学 冶金 纳米技术 工程类 地质学 沉积物 古生物学
作者
Guangyu Zheng,Yukang Sun,Simin Liu,Peng Su,Junhong Pei,Hong Zhang,Lijun Liu
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier]
卷期号:657: 128108-128108 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2025.128108
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