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Ionizing radiation defects and reliability of Gallium Nitride-based III-V semiconductor devices: A comprehensive review

电离辐射 氮化镓 可靠性(半导体) 光电子学 材料科学 半导体 可靠性工程 工程物理 纳米技术 工程类 辐照 物理 冶金 核物理学 功率(物理) 图层(电子) 量子力学
作者
V. Sandeep,J. Charles Pravin,S. Ashok Kumar
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:159: 115445-115445 被引量:16
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2024.115445
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