Design and electrical modelling of a depletion-mode P-type triple-field-plated AlGaN/GaN on SiC HEMT with 2.45 kV breakdown voltage

高电子迁移率晶体管 击穿电压 光电子学 材料科学 电压 宽禁带半导体 电气工程 晶体管 工程类
作者
S. Nandi,Shashank Kumar Dubey,Mukesh Kumar,Aminul Islam
出处
期刊:Microsystem Technologies-micro-and Nanosystems-information Storage and Processing Systems [Springer Science+Business Media]
标识
DOI:10.1007/s00542-024-05609-y

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