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Border traps: Issues for MOS radiation response and long-term reliability

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作者
Daniel M. Fleetwood,M.R. Shaneyfelt,W. L. Warren,J.R. Schwank,T.L. Meisenheimer,P.S. Winokur
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:35 (3): 403-428 被引量:175
标识
DOI:10.1016/0026-2714(95)93068-l
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