材料科学
导线
钙钛矿（结构）
图层（电子）
光电子学
复合材料
结晶学
化学
作者
Xiaohui Lu,Xiandong Zhao,Congcong Wu,Shiming Wang,Yanyan Li,Xiaojie Yang,Yang Li,Li Zhao
摘要
The introduction of NiSe effectively reduces the defect density within the device and lowers the interfacial energy transfer barrier.
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