Influence of SiC MOSFET Gate Technologies on Imbalanced Performance in Hard Switching Parallel Operation

MOSFET 材料科学 逻辑门 光电子学 碳化硅 快速切换 电子工程 计算机科学 电气工程 工程物理 晶体管 物理 工程类 电压 冶金
作者
Andrea Piccioni,Niklas Seltner,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius
标识
DOI:10.1109/ispsd59661.2024.10579563
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