Enhanced Current Carrying Capability of Au-ZnSe Nanowire-Au Nanostructure via High Energy Electron Irradiation

基于 Au-ZnSe nanowire (NW ) 提高 nanoelectronics 的表演 -Au (M-S-M ) nanostructure，从一台传播电子显微镜的电子枪射出的高精力电子横梁的照耀的效果在 M-S-M nanostructure 的当前的带能力上在 200 kV 操作了在 situ 被调查。在一个 Au 电极上集中高精力电子横梁， M-S-M nanostructure 的当前的带能力能关于被关上的电子横梁的案例显著地被提高。在这种情况中，在电极的电子被高精力电子和罐头自由地在金属半导体 NW ( MS ) nanocontacts 通过 Schottky 障碍掘的事件激动，它罐头有效地减少朱尔热驱散并且显著地由于当前的带能力高度取决于在 MS nanocontacts 加热 Schottky 障碍的效果的焦耳的事实改进 M-S-M nanostructure 的当前的带能力。