Friction Tuning of Interlayer Exciton Recombination in Van der Waals Heterostructures

激子 材料科学 范德瓦尔斯力 异质结 重组 电子 光致发光 化学物理 光电子学 凝聚态物理 物理 化学 分子 生物化学 量子力学 基因
作者
Zejun Sun,Ping Ge,Shihong Chen,Shuchun Huang,Haowen Xu,Chong Wang,Rui Han,Xiushuo Zhang,Huixian Liu,Jianbin Luo,Linmao Qian,Junhui Sun,Dameng Liu,Huan Liu,Huan Liu,Huan Liu
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:37 (29): e2502986-e2502986 被引量:3
标识
DOI:10.1002/adma.202502986
摘要

Abstract Van der Waals heterostructures combine low friction with excellent optoelectronic properties, making them suitable for opto‐nano‐electromechanical systems. While the long lifetime of interlayer excitons in these materials helps reduce energy loss, friction in mechanical systems is unavoidable and can shorten the exciton recombination lifetime, undermining the low‐friction benefits. Despite its importance, the fundamental mechanism underlying friction‐induced changes in exciton recombination remains unexplored, mainly due to the difficulty of probing long‐lifetime exciton recombination at friction interfaces. Here, time‐resolved photoluminescence combined with an atomic force microscope is used to detect exciton recombination at the friction interface of MoS 2 /WS 2 heterostructures. The findings show that friction generates defects, which trap electrons and create additional recombination pathways, shortening exciton recombination lifetimes. This, in turn, increases friction by altering charge density evolution and raising the friction sliding barrier. Density functional theory calculations confirm this mechanism. These results reveal how friction influences exciton recombination, paving the way for advancements in low‐friction nano‐opto‐electromechanical devices.
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