Analysis of TCC in p-n Short Silicon Diodes at 300–400 K

二极管 材料科学 光电子学
作者
Romain M.R. Kubica,Antoine Albouy,F. Balestra,A. Aliane,Philip R. LeDuc
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (8): 4476-4482 被引量:1
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3408772

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