Improved Bias Scheme for High Power RF Switches Using 130 nm RF-SOI Technology

绝缘体上的硅 无线电频率 射频功率放大器 方案(数学) 材料科学 光电子学 电气工程 功率(物理) 电子工程 计算机科学 CMOS芯片 工程类 物理 放大器 数学分析 量子力学 数学
作者
Raghuram Tattamangalam Raman,Venkata Vanukuru
标识
DOI:10.1109/apmc60911.2024.10867528

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