Comparative Study of Analog Parameters for Various Silicon-Based Tunnel Field-Effect Transistors

材料科学 场效应晶体管 晶体管 工程物理 光电子学 电气工程 工程类 电压
作者
Alluru Sreevani,Sandip Swarnakar,Sabbi Vamshi Krishna
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:14 (15): 9223-9235 被引量:3
标识
DOI:10.1007/s12633-022-01674-y

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