Residual impurities in MO-VPE GaAs epitaxial layers

2014 La nature et la concentration des impuretés résiduelles dans des couches de GaAs élaborées par épitaxie en phase vapeur à partir de composés organométalliques ont été analysées en fonction des paramètres de croissance : température, rapport As/Ga dans la phase vapeur, excès de CH4.Les spectres de photoluminescence (PL) montrent que l'impureté résiduelle la plus importante est le carbone.La concentration de carbone résiduel augmente avec la pression de CH4.Un pic de PL apparait à 1,477 eV dans les échantillons recuits sous atmosphère de AsH3.Les propriétés de ce pic sont interprétées par l'apparition d'un accepteur d'énergie d'acti- vation = 40 meV, différent du germanium.Abstract.2014 The nature and concentration of residual impurities in MO-VPE GaAs layers were studied as a function of growth parameters : temperature, ratio As/Ga, excess CH4 in the gas phase.Photoluminescence (PL) spectra show that the main residual impurity is C. The amount of residual C increases with excess CH4.A PL peak at 1.477 eV appears for samples annealed under AsH3.The properties of this peak are interpreted in terms of a 40 meV deep acceptor, not related to germanium.