Retention Analysis of Ferroelectric FETs with Gate-Side Injection for Vertical NAND Storage

与非门数据保留材料科学铁电性光电子学逻辑门电气工程工程类电介质

作者

Yixin Qin,Saikat Chakraborty,Zijian Zhao,Shawming Ma,Moonyoung Jung,Kijoon Kim,Suhwan Lim,Kwangyou Seo,Kwangsoo Kim,Wanki Kim,Daewon Ha,Vijaykrishnan Narayanan,Jaydeep P. Kulkarni,Kai Ni

标识

DOI：10.1109/irps48204.2025.10983219

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