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作者
Yongshuang Li,Yingxin Chen,Huigui Fang,Jingchao Shi,Yichen Xue,Rongjie Ma,Jingtao Zhou,Yao Ni,Jian Zhang,Xuefeng Zhang
出处
期刊：Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-11-14
卷期号：16 (1): 180-187
被引量：2
摘要
A template-free electron beam lithography (EBL) technique was developed to arbitrarily write ferroelectric nanopatterns of P(VDF-TrFE-CTFE) and applied them for high-security-level multiplexing memory.
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