Nanoscale Mapping of Cu‐Ion Transport in van der Waals Layered CuCrP2S6

范德瓦尔斯力 材料科学 化学物理 离子键合 离子 拉曼光谱 高分辨率透射电子显微镜 纳米技术 透射电子显微镜 分析化学(期刊) 光学 分子 化学 色谱法 物理 有机化学
作者
Ruru Ma,Dongdong Xu,Qilan Zhong,Chaorong Zhong,Rong Huang,Ping Xiang,Ni Zhong,Chun‐Gang Duan
出处
期刊:Advanced Materials Interfaces [Wiley]
卷期号:9 (4) 被引量:11
标识
DOI:10.1002/admi.202101769
摘要

Abstract Ionic conduction of metal thiophosphates (MTPs) is attracting growing attention for promising applications in electrochemical storage and tunable physical properties. Especially, metal‐ion migration in copper thiophosphate has been identified as a key factor for the control of their microstructure and phase transition. However, direct evidence for the coupling between Cu‐ion motions and the crystal lattice has been elusive at the nanometer scale. Here, the room temperature diffusion kinetics of Cu ions in layered CuCrP 2 S 6 (CCPS) is demonstrated. A tip‐enhanced electric field based on scanning probe microscopy (SPM) has been used as the driving force for Cu‐ion motions through van der Waals gaps. The strong coupling between Cu‐ion concentration and crystal lattice and the resulting serial structural transitions have been probed directly by the comprehensive utilization of spatially resolved Raman spectra, cross‐section energy dispersion spectrum (EDS), and high‐resolution transmission electron microscopy (HR‐TEM). This knowledge improves the understanding of the effect of intrinsic Cu‐ion migration on the structure transformation in layered van der Waals materials and provides feedback to the nanoscale mechanisms of nanometer devices based on iontronics.
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