Comparative Study on Random Interface Traps-Induced Reliability of NC-FinFETs and FinFETs

材料科学 可靠性(半导体) 晶体管 光电子学 负偏压温度不稳定性 阈下摆动 电容 MOSFET 电气工程 物理 功率(物理) 电压 工程类 电极 量子力学
作者
Weifeng Lü,Zhang Cai-yun,Dengke Chen,Ying Han,Weijie Wei
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (10): 4481-4488 被引量:5
标识
DOI:10.1007/s12633-023-02371-0
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