Computational investigations of the metal/semiconductor NbS2/Boron phosphide van der Waals heterostructure: Effects of the electric fields

半导体 范德瓦尔斯力 异质结 磷化物 材料科学 金属 电场 工作(物理) 光电子学 纳米技术 凝聚态物理 化学 冶金 物理 热力学 量子力学 分子 有机化学
作者
Nguyen V. Vinh,Son‐Tung Nguyen,Khang D. Pham
出处
期刊:Dalton Transactions [Royal Society of Chemistry]
卷期号:53 (31): 13022-13029 被引量:2
标识
DOI:10.1039/d4dt01454e
摘要

In this work, we design computationally the metal-semiconductor NbS
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