Top-Gate Indium-Tin-Oxide Power Transistors Featuring High Breakdown Voltage of 156 V

材料科学 击穿电压 光电子学 电气工程 氧化铟锡 晶体管 电压 功率MOSFET 氧化物 逻辑门 电击穿 功率半导体器件 MOSFET 工程类 纳米技术 冶金 电介质 图层(电子)
作者
Jiawei Xie,Yuxuan Wang,Zijie Zheng,Yuye Kang,Xuanqi Chen,Gerui Zheng,Rui Shao,Kaizhen Han,Xiao Gong
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/led.2024.3435428

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