Tunable Schottky barrier of GaSe/graphene heterostructure via asymmetric O doping

材料科学 石墨烯 异质结 肖特基势垒 兴奋剂 光电子学 纳米技术 二极管
作者
Jiaqi Wang,Xinguo Ma,Biao Ma,Guanjun Xiao,Yanru Zhou,Weiping Ding
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:13 (45): 22769-22779
标识
DOI:10.1039/d5tc03071d
摘要

By asymmetric O doping modulation, the Schottky barrier of a GaSe/graphene heterostructure can be effectively lowered.
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