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Establishing Nanoscale Circuitry by Designing a Structure with Atomic Short‐range Order for High‐Rate Energy Storage

材料科学 纳米技术 离子 储能 扩散 纳米尺度 化学物理 工程物理 热力学 化学 有机化学 冶金 功率(物理) 工程类 物理
作者
Liting Yang,Guisheng Liang,Minmin Liu,Yiqian Du,Xuhui Xiong,Guanyu Chen,Renchao Che
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:37 (19): e2503843-e2503843 被引量:1
标识
DOI:10.1002/adma.202503843
摘要

Abstract High‐rate materials necessitate the rapid transportation of both electrons and ions, a requirement that becomes especially challenging at practical mass loadings (>10 mg cm 2 ). To address this challenge, a material is designed with an architecture having atomic‐scale short‐range order. This design establishes internal nanoscale circuitry at the particle level, which facilitates rapid electronic and ionic transport within micrometer‐sized niobium tungsten oxides. The architecture features alternating cerium‐depleted and cerium‐enriched regions. The continuous cerium‐enriched regions with enhanced conductivity provide multilane highways for electron mobility by functioning as electron‐conducting wires that significantly boost the overall conductivity. The cerium‐depleted regions effectively mitigate electrostatic repulsion and promote rapid ion transport through ion‐conducting channels. These structural characteristics provide a continuous network that supports both electrical migration and chemical diffusion to amplify the areal capacity and rate capability even at high mass loadings. These findings not only expand the fundamental understanding of the design of optimal host lattices for advanced energy storage systems but also of the practical application of microsized high‐rate electrode materials.
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