Subthreshold Kink Effect in Gate-All-Around MOSFETs Based on Void Embedded Silicon on Insulator Technology

绝缘体上的硅 MOSFET 硅 阈下传导 光电子学 阈下斜率 材料科学 空隙(复合材料) 逻辑门 电气工程 工程物理 凝聚态物理 电子工程 晶体管 物理 工程类 电压 复合材料
作者
Yuxin Liu,Qiang Liu,Jin Chen,Zhiqiang Mu,Xing An
出处
期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/jeds.2024.3478750
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