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Corrigendum: Investigating GaN/SiC Hybrid Field-Effect Transistor Designs for Simplified Fabrication Process and Improved Performance [ECS J. Solid State Sci. Technol., 14, 111002 (2025)] 勘误表:研究GaN/SiC混合场效应晶体管设计以简化制造工艺和提高性能[ECS J.Solid State Sci.Technol.,14,111002(2025)]
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期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者:Junjie Yang; Shuangzan Lu; GE Xiao-ming 出版日期:2025-12-02 |
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