Top-Gated P-MOSFET with CVD-Grown WSe2 Channels via Self-Aligned WOx Conversion for Spacer Doping

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标题	Top-Gated P-MOSFET with CVD-Grown WSe2 Channels via Self-Aligned WOx Conversion for Spacer Doping
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.5c00813
DOI	10.1021/acs.nanolett.5c00813 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Meng-Zhan Li; Terry Y. T. Hung; Wei-Sheng Yun; D. Mahaveer Sathaiya; Sui-An Chou; et al 出版日期：2025-04-15
求助人	cdk 在 2026-04-22 15:58:53 发布自湖北，悬赏 10 积分
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