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Band Gap Engineering of MoxW1–xS2 Alloy Monolayers with Wafer-Scale Uniformity 具有晶片尺度均匀性的MoxW1-xS2合金单层的带隙工程
相关领域
单层
合金
带隙
薄脆饼
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物理
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期刊:Inorganic Chemistry 作者:Zhengchao Zhou; Xingchen Zhang; Xinya Chen; Zhihai Cheng; Zhiyong Wang 出版日期:2024-04-17 |
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