| 标题 |
 A new self-consistent model for the analysis of hot-carrier induced degradation in lightly doped drain (LDD) and gate overlapped LDD polysilicon TFTs 用于分析轻掺杂漏极（LDD）和栅极重叠LDD多晶硅薄膜晶体管热载流子诱导退化的新自洽模型
相关领域
降级（电信）
兴奋剂
材料科学
光电子学
工程物理
电气工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Thin Solid Films 作者：A. Valletta; L. Mariucci; A. Pecora; G. Fortunato; J. R. Ayres; et al 出版日期：2003-03-01 |
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