High Stable Micro Green Light-emitting Diodes Based on ZnO∶Ga/InGaN Heterojunction

ç»¿å ‰å ‰æºå¯å¹¿æ³›åº”ç”¨äºŽå›ºæ€ç §æ˜Žã€å¯è§å ‰é€šä¿¡ã€ç”µå­æ˜¾ç¤ºã€å ‰é—ä¼ å­¦ç­‰é¢†åŸŸã€‚ç›¸æ¯”äºŽè“å ‰LEDï¼Œé«˜æ€§èƒ½ä½Žç»´ç»¿è‰²å‘å ‰å™¨ä»¶çš„è®¾è®¡ä¸Žåˆ¶å¤‡å—é™äºŽç»¿å ‰æ•ˆçŽ‡ä½Žï¼ˆGreen gapï¼‰å’Œé«˜æ³¨å ¥ç”µæµä¸‹æ•ˆçŽ‡ä¸‹é™ï¼ˆEfficiency droop）两个主要问题的困扰。本文采用化学气相沉积方法（CVD）生长镓掺杂的氧化锌微米线（ZnO∶Ga MW），结合p型InGaN衬底制备了n‐ZnO∶Ga MW/p‐InGaNå¼‚è´¨ç»“å‘å ‰äºŒæžç®¡ã€‚è¯¥å™¨ä»¶çš„è¾“å‡ºæ³¢é•¿ä¸º540 nm，半峰宽约为32 nmï¼Œåœ¨ç›¸å¯¹è¾ƒå¤§çš„æ³¨å ¥ç”µæµä¸‹ï¼Œå™¨ä»¶å‘å ‰å³°ä½ã€åŠå³°å®½ç­‰å‘å ‰ç‰¹å¾å‚æ•°æ²¡æœ‰æ˜Žæ˜¾çš„å˜åŒ–ï¼Œä¸”ç›¸å¯¹å¤–é‡å­æ•ˆçŽ‡ï¼ˆREQEï¼‰åœ¨è¾ƒå¤§ç”µæµä¸‹å‘ˆçŽ°å‡ºç›¸å¯¹è¾ƒå°çš„ä¸‹é™ï¼Œä½“çŽ°äº†è¾ƒé«˜çš„å‘å ‰ç¨³å®šæ€§ã€‚æ­¤å¤–ï¼Œåˆ©ç”¨é‡‘çº³ç±³è–„è†œæ”¹å–„äº†ZnO∶Ga微米线与InGaNè¡¬åº•é—´çš„æŽ¥è§¦ï¼Œå®žçŽ°äº†ç»“åŒºç•Œé¢çš„ä¼˜åŒ–ï¼ŒæˆåŠŸæé«˜äº†å‘å ‰äºŒæžç®¡çš„å‘å ‰å¼ºåº¦ã€‚å®žéªŒç»“æžœè¡¨æ˜Žï¼Œé‡‡ç”¨n‐ZnO∶Ga微米线结合p‐InGaNè¡¬åº•æž„ç­‘çš„å¼‚è´¨ç»“å¯ç”¨äºŽåˆ¶å¤‡é«˜ç¨³å®šæ€§é«˜äº®åº¦çš„å¾®åž‹ç»¿å ‰å‘å ‰äºŒæžç®¡ã€‚