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 Effect of oxide and interface traps on electrical characteristics of post-deposition annealed HfSiO4/n-Si structures 氧化物和界面陷阱对沉积后退火HfSiO4/n-Si结构电学特性的影响
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Ayşegül Kahraman; Ercan Yılmaz 出版日期：2021-02-05 |
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