| 标题 |
  New Insights Into Noise Characteristics of Hot Carrier Induced Defects in Polysilicon Emitter Bipolar Junction Transistors and SiGe HBTs 多晶硅发射极双极结晶体管和SiGe HBT中热载流子诱导缺陷噪声特性的新见解
相关领域
材料科学
双极结晶体管
光电子学
共发射极
次声
噪音（视频）
可靠性（半导体）
晶体管
异质结双极晶体管
氧化物
电气工程
工程类
计算机科学
电压
声学
物理
功率（物理）
人工智能
冶金
图像（数学）
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Kunfeng Zhu; Peijian Zhang; Zicheng Xu; Tao Wang; Xiaohui Yi; et al 出版日期：2023-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
Kao
GingerF
cnspower
王雪
jfkyt
Copyright
OK
潇洒的惋清
结实的小蚂蚁
可耐的鑫磊
pluto
MchemG
无极微光
初景
Nole
遇上就这样吧
儒雅的板栗
时尚梦易
嘉心糖
皖公网安备34019202002308
