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标题
Investigation on the Influence of Ohmic Structure on Channel-to-Channel Coupling Effect in InAlN/GaN Double Channel HEMTs
欧姆结构对InAlN/GaN双沟道HEMTs沟道耦合效应影响的研究
相关领域
欧姆接触 跨导 材料科学 光电子学 截止频率 频道（广播） 高电子迁移率晶体管 晶体管 电气工程 图层（电子） 纳米技术 电压 工程类
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/6423298/09797808.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2022.3183638 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Ling Yang; Hao Lu; Meng Zhang; Xuerui Niu; Chuzhou Shi; et al
出版日期：2022-01-01
求助人
哐哐哐 在 2025-12-04 02:58:58 发布自安徽，悬赏 10 积分
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