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[高分]
  13.56MHz Half-Bridge GaN-HEMT Resonant Inverter Achieving High Power, Low Distortion, and High Efficiency by ‘L-S Network’ 13.56 MHz半桥GaN-HEMT谐振逆变器通过“L-S网络”实现高功率、低失真和高效率
相关领域
高电子迁移率晶体管
拓扑（电路）
电气工程
逆变器
工程类
电子工程
谐振器
氮化镓
输入阻抗
等效串联电阻
总谐波失真
晶体管
材料科学
电阻抗
光电子学
电压
复合材料
图层（电子）
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Aoi Oyane; Senanayake Thilak; Mitsuru Masuda; Jun Imaoka; Masayoshi Yamamoto 出版日期：2022-03-24 |
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