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标题
Analytical Model of Center Potential in GaN Vertical Junctionless Power Fin-MOSFETs for Fast Device-Design Optimization
用于快速器件设计优化的GaN垂直无结功率鳍MOSFET中心电位解析模型
相关领域
鳍 MOSFET 功率（物理） 中心（范畴论） 材料科学 功率半导体器件 电气工程 光电子学 电子工程 物理 晶体管 工程类 电压 化学 热力学 复合材料 结晶学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3293067
DOI
10.1109/ted.2023.3293067 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Jyoti Patel; Tanmoy Pramanik; Biplab Sarkar
出版日期：2023-07-21
求助人
xiaoxiao 在 2025-12-06 12:49:58 发布自江西，悬赏 10 积分
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