A novel depletion-mode T-shaped recessed-gate GaN HEMT with AlGaN/GaN/InAlGaN double heterojunction for RF and low noise applications

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标题	A novel depletion-mode T-shaped recessed-gate GaN HEMT with AlGaN/GaN/InAlGaN double heterojunction for RF and low noise applications
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208470
DOI	10.1016/j.micrna.2025.208470 doi
其它	期刊：Micro and nanostructures 作者：Amit Agarwal; Sumit Kale 出版日期：2025-11-22
求助人	YCY15880432100 在 2026-10-21 21:44:59 发布自福建，悬赏 10 积分
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