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High-quality SiNx thin-film growth at 300 °C using atomic layer deposition with hollow-cathode plasma
用空心阴极等离子体原子层沉积在300℃生长高质量SiNx薄膜
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期刊:Journal of Materials Chemistry C 作者:Jae Chan Park; Dae Hyun Kim; Tae Jun Seok; Dae Woong Kim; Ji‐Hoon Ahn; et al 出版日期:2023-01-01 |
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