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 High-density, nonvolatile SRAM using monolithic 3D integration of InGaZnO thin-film transistors and Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric capacitors |
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期刊：Device 作者：Qihan Liu; Yu Li; Liwei Liu; Hao Jiang; Haozhe Zhu; et al 出版日期：2025-06-01 |
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(2025-6-4)
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FIN
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忆白
XX
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