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Low Leakage and High Forward Current Density Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Post-Mesa Nitridation |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xuanwu Kang; Yue Sun; Yingkui Zheng; Ke Wei; Hao Wu; et al 出版日期:2021-01-23 |
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