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标题
Identification of Trap States in p-GaN Layer of a p-GaN/AlGaN/GaN Power HEMT Structure by Deep-Level Transient Spectroscopy
网址
DOI
10.1109/LED.2020.2980150 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Song Yang; Sen Huang; Jin Wei; Zheyang Zheng; Yuru Wang; et al
出版日期:2020
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威武的青丝 在 2026-06-18 15:57:57 发布自上海,悬赏 10 积分
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