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 Nonvolatile Memory Device Based on the Ferroelectric Metal/Ferroelectric Semiconductor Junction 基于铁电金属/铁电半导体结的非易失性存储器件
相关领域
铁电性
材料科学
非易失性存储器
半导体
光电子学
电极
铁电电容器
隧道枢纽
范德瓦尔斯力
纳米技术
量子隧道
化学
电介质
分子
物理化学
有机化学
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期刊：Nano Letters 作者：Yan Li; Yulin Yang; Hanzhang Zhao; Hongxu Duan; Chao Yang; et al 出版日期：2025-01-15 |
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