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标题
1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga2O3 Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning
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DOI
10.1109/ted.2025.3569254 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Zhihong Feng; Shida Han; Yuangang Wang; Hongyu Guo; Shaobo Dun; et al
出版日期:2025-01-01
求助人
安静 在 2026-07-24 15:14:32 发布自江苏,悬赏 10 积分
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