High Restore Yield NVSRAM Structures With Dual Complementary RRAM Devices for High-Speed Applications

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标题	High Restore Yield NVSRAM Structures With Dual Complementary RRAM Devices for High-Speed Applications 具有双互补RRAM器件的高恢复产量NVSRAM结构，适用于高速应用相关领域静态随机存取存储器电阻随机存取存储器随机存取存储器电阻器计算机科学随机存取计算机硬件非易失性存储器功率消耗访问时间电气工程对偶（语法数字）电子工程功率（物理）电压嵌入式系统工程类计算机网络艺术物理文学类量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/tvlsi.2023.3242300
DOI	10.1109/tvlsi.2023.3242300 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 作者：Zhiting Lin; Chen Min; Peng Sun; Xiulong Wu; Qiang Zhao; et al 出版日期：2023-02-14
求助人	风趣的芝麻在 2025-01-28 11:34:37 发布自美国，悬赏 10 积分
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