| 标题 |
 A novel circular double-gate SOI MOSFET with raised source/drain 一种新型源/漏升高的圆形双栅SOI MOSFET
相关领域
阈下斜率
MOSFET
绝缘体上的硅
阈下传导
材料科学
晶体管
光电子学
逆变器
双闸门
兴奋剂
场效应晶体管
电气工程
硅
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Kallepelli Sagar; Satish Maheshwaram 出版日期：2021-03-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
林狗
嘻嘻哈哈
zhang
GingerF
OK
学霸业
liuqingqing
无极微光
Oracle
Wby
YifanWang
初景
平常迎天
mslx
herococa
核桃
Plant
王77
Aurora
山野下
皖公网安备34019202002308
