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 A novel circular double-gate SOI MOSFET with raised source/drain 一种新型源/漏升高的圆形双栅SOI MOSFET
相关领域
阈下斜率
MOSFET
绝缘体上的硅
阈下传导
材料科学
晶体管
光电子学
逆变器
双闸门
兴奋剂
场效应晶体管
电气工程
硅
电压
工程类
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Kallepelli Sagar; Satish Maheshwaram 出版日期：2021-03-22 |
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