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标题
A novel circular double-gate SOI MOSFET with raised source/drain
一种新型源/漏升高的圆形双栅SOI MOSFET
相关领域
阈下斜率 MOSFET 绝缘体上的硅 阈下传导 材料科学 晶体管 光电子学 逆变器 双闸门 兴奋剂 场效应晶体管 电气工程 硅 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf0e6
DOI
10.1088/1361-6641/abf0e6 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Kallepelli Sagar; Satish Maheshwaram
出版日期：2021-03-22
求助人
One 在 2025-08-30 10:45:58 发布，悬赏 10 积分
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