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 Combined Effects of Proton Irradiation and Forward Gate-Bias Stress on the Interface Traps in AlGaN/GaN Heterostructure 质子辐照和正向栅极偏压对AlGaN/GaN异质结构界面陷阱的综合影响
相关领域
质子
异质结
辐照
能量（信号处理）
物理
接口（物质）
材料科学
光电子学
量子力学
分子
吉布斯等温线
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Tian Zhu; Xuefeng Zheng; Jia Wang; Mao-Sen Wang; Kai Chen; et al 出版日期：2021-09-14 |
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