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标题
Combined Effects of Proton Irradiation and Forward Gate-Bias Stress on the Interface Traps in AlGaN/GaN Heterostructure
质子辐照和正向栅极偏压对AlGaN/GaN异质结构界面陷阱的综合影响
相关领域
质子 异质结 辐照 能量（信号处理） 物理 接口（物质） 材料科学 光电子学 量子力学 分子 吉布斯等温线
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3112767
DOI
10.1109/tns.2021.3112767 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Tian Zhu; Xuefeng Zheng; Jia Wang; Mao-Sen Wang; Kai Chen; et al
出版日期：2021-09-14
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幸运的羊 在 2025-08-19 07:09:48 发布，悬赏 10 积分
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